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深圳市南皇電子有限公司|南皇電子-領(lǐng)先的國(guó)內(nèi)IC供應(yīng)商
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圖片信息
IRF6662TR1PBF圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號(hào)：IRF6662TR1PBF
  • 原始制造廠商：IR，國(guó)際整流器
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi)：?jiǎn)味藞?chǎng)效應(yīng)管
  • 點(diǎn)擊此處下載IRF6662TR1PBF的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet（PDF文件）
  • 現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿(mǎn)足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！
    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào)：IRF6662TR1PBF
  • 制造廠家名稱(chēng)：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購(gòu)
  • 描述：MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
  • 系列：HEXFET
  • FET 類(lèi)型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓 (Vdss)：100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：8.3A（Ta），47A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：22 毫歐 @ 8.2A，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4.9V @ 100μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：31nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：1360pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：2.8W
  • 安裝類(lèi)型：表面貼裝
  • 產(chǎn)品封裝：DirectFET 等容 MZ
  • 供應(yīng)商器件封裝：DIRECTFET MZ
  • IRF6662TR1PBF均從IR代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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    IR產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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    深圳市南皇電子有限公司 - IRF6662TR1PBF - IR公司芯片現(xiàn)貨領(lǐng)導(dǎo)代理商

    深圳市南皇電子有限公司致力成為中國(guó)領(lǐng)先的IC供應(yīng)商現(xiàn)貨庫(kù)存優(yōu)化處理專(zhuān)家,一站式電子元器件采購(gòu)增值配套,快速響應(yīng)您的報(bào)價(jià)請(qǐng)求

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