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圖片信息
SPD30P06P G圖片
基本技術信息：
  • 電子器件型號：SPD30P06P G
  • 原始制造廠商：Infineon，英飛凌
  • 技術標準參數(shù)：MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
  • 產(chǎn)品應用分類：單端場效應管
  • 點擊此處下載SPD30P06P G的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術參數(shù)詳解：
  • Infineon英飛凌公司完整型號：SPD30P06P G
  • 制造廠家名稱：Infineon Technologies
  • 描述：MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3
  • 系列：SIPMOS
  • FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
  • FET 功能：標準
  • 漏源極電壓 (Vdss)：60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：30A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：75 毫歐 @ 21.5A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1.7mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：48nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1535pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：125W
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
  • 供應商器件封裝：PG-TO252-3
  • SPD30P06P G均從Infineon代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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