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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供APTM10DAM02G(品牌: Microsemi)充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品
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深圳市南皇電子有限公司|南皇電子-領(lǐng)先的國(guó)內(nèi)IC供應(yīng)商
Microsemi產(chǎn)品快速報(bào)價(jià)、當(dāng)日發(fā)貨、無(wú)最低起訂量
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圖片信息
APTM10DAM02G圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號(hào):APTM10DAM02G
  • 原始制造廠商:Microsemi,美高森美
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET N-CH 100V 495A SP6
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi):場(chǎng)效應(yīng)管模塊
  • 點(diǎn)擊此處下載APTM10DAM02G的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
  • 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求!
  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • Microsemi美高森美完整型號(hào):APTM10DAM02G
  • 制造廠家名稱(chēng):Microsemi Power Products Group
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 495A SP6
  • 系列:-
  • FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓 (Vdss):100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):495A
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):2.5 毫歐 @ 200A,10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 10mA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):1360nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):40000pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:1250W
  • 安裝類(lèi)型:底座安裝
  • 封裝/外殼:SP6
  • 供應(yīng)商器件封裝:SP6
  • APTM10DAM02G均從Microsemi代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
  • 時(shí)刻努力成為您值得信賴(lài)的IC供應(yīng)商
    Microsemi產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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    深圳市南皇電子有限公司致力成為中國(guó)領(lǐng)先的IC供應(yīng)商現(xiàn)貨庫(kù)存優(yōu)化處理專(zhuān)家,一站式電子元器件采購(gòu)增值配套,快速響應(yīng)您的報(bào)價(jià)請(qǐng)求

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