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圖片信息
CSD86336Q3D圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號(hào)：CSD86336Q3D
  • 原始制造廠商：TI，德州儀器（Texas Instruments）
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：25V POWERBLOCK N CH MOSFET
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
  • 點(diǎn)擊此處下載CSD86336Q3D的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet（PDF文件）
  • 現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！
    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào)：CSD86336Q3D
  • 制造商：Texas Instruments
  • 描述：25V POWERBLOCK N CH MOSFET
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
  • 產(chǎn)品系列：NexFET?
  • 零件狀態(tài)：有源
  • FET類型：2 個(gè) N 通道（半橋）
  • FET功能：邏輯電平柵極，5V 驅(qū)動(dòng)
  • 漏源電壓（Vdss）：25V
  • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：20A（Ta）
  • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：9.1 毫歐 @ 20A，5V，3.4 毫歐 @ 20A，5V
  • 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：1.9V @ 250μA，1.6V @ 250μA
  • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：3.8nC @ 45V，7.4nC @ 45V
  • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：494pF @ 12.5V，970pF @ 12.5V
  • 功率-最大值：6W
  • 工作溫度：-55°C ~ 125°C
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 封裝：8-PowerTDFN
  • CSD86336Q3D均從TI代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
    • 時(shí)刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
    TI產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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    深圳市南皇電子有限公司致力成為中國(guó)領(lǐng)先的IC供應(yīng)商現(xiàn)貨庫(kù)存優(yōu)化處理專家,一站式電子元器件采購(gòu)增值配套,快速響應(yīng)您的報(bào)價(jià)請(qǐng)求

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