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圖片信息
GT30J324(Q)圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號：GT30J324(Q)
  • 原始制造廠商：Toshiba，東芝半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IGBT 600V 30A 170W TO3PN
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：單路IGBT
  • 點擊此處下載GT30J324(Q)的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 東芝半導(dǎo)體公司完整型號：GT30J324(Q)
  • 制造廠家名稱：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述：IGBT 600V 30A 170W TO3PN
  • 系列：-
  • IGBT 類型：-
  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：30A
  • Current - Collector Pulsed (Icm)：60A
  • 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：2.45V @ 15V，30A
  • 功率 - 最大值：170W
  • Switching Energy：1mJ （開）， 800μJ （關(guān)）
  • 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
  • Gate Charge：-
  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：90ns/300ns
  • Test Condition：300V， 30A， 24 歐姆， 15V
  • 反向恢復(fù)時間 (trr)：60ns
  • 封裝/外殼：TO-3P-3，SC-65-3
  • 安裝類型：通孔
  • 供應(yīng)商器件封裝：TO-3P（N）
  • GT30J324(Q)均從Toshiba代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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