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圖片信息
SSM6J08FUTE85LF圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:SSM6J08FUTE85LF
  • 原始制造廠商:Toshiba,東芝半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET P-CH 20V 1.3A US6
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:單端場效應(yīng)管
  • 點(diǎn)擊此處下載SSM6J08FUTE85LF的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 東芝半導(dǎo)體公司完整型號:SSM6J08FUTE85LF
  • 制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage
  • 描述:MOSFET P-CH 20V 1.3A US6
  • 系列:-
  • FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss):20V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):1.3A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):180 毫歐 @ 650mA, 4V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):-
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):-
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):370pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:300mW
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供應(yīng)商器件封裝:US6
  • SSM6J08FUTE85LF均從Toshiba代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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