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深圳市南皇電子有限公司長期提供SQJ412EP-T1-GE3（品牌: Vishay）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品
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圖片信息
SQJ412EP-T1-GE3圖片
基本技術信息：
  • 電子器件型號：SQJ412EP-T1-GE3
  • 原始制造廠商：Vishay，威世
  • 技術標準參數(shù)：MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
  • 產(chǎn)品應用分類：單端場效應管
  • 點擊此處下載SQJ412EP-T1-GE3的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術參數(shù)詳解：
  • Vishay威世半導體原廠型號：SQJ412EP-T1-GE3
  • 制造商：Vishay Siliconix
  • 描述：MOSFET N-CH 40V 32A PPAK SO-8
  • 系列：TrenchFET
  • FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能：邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss)：40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：32A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：4.1 毫歐 @ 10.3A, 10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：120nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：5950pF @ 20V
  • 功率 - 最大值：83W
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 封裝/外殼：PowerPAK SO-8
  • 供應商器件封裝：PowerPAK SO-8
  • SQJ412EP-T1-GE3均從Vishay代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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