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深圳市南皇電子有限公司|南皇電子-領(lǐng)先的國內(nèi)IC供應(yīng)商
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圖片信息
DMN25D0UFA-7B圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:DMN25D0UFA-7B
  • 原始制造廠商:Diodes,美臺半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET N-CH 25V 240MA 3DFN
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 點(diǎn)擊此處下載DMN25D0UFA-7B的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
  • 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求!
  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:DMN25D0UFA-7B
  • 制造商:Diodes Incorporated
  • 描述:MOSFET N-CH 25V 240MA 3DFN
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產(chǎn)品系列:-
  • 零件狀態(tài):有源
  • FET類型:N 通道
  • 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):25V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):240mA(Ta)
  • 驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):2.7V,4.5V
  • 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻(最大值):4 歐姆 @ 400mA,4.5V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):1.2V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):0.36nC @ 4.5V
  • Vgs(最大值):8V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):27.9pF @ 10V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):280mW(Ta)
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:X2-DFN0806-3
  • DMN25D0UFA-7B均從Diodes代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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    Diodes產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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    深圳市南皇電子有限公司致力成為中國領(lǐng)先的IC供應(yīng)商現(xiàn)貨庫存優(yōu)化處理專家,一站式電子元器件采購增值配套,快速響應(yīng)您的報價請求

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