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深圳市南皇電子有限公司長期提供DMT12H007LPS-13（品牌: Diodes）充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品
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深圳市南皇電子有限公司|南皇電子-領(lǐng)先的國內(nèi)IC供應(yīng)商
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圖片信息
DMT12H007LPS-13圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號：DMT12H007LPS-13
  • 原始制造廠商：Diodes，美臺半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
  • 點擊此處下載DMT12H007LPS-13的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號：DMT12H007LPS-13
  • 制造商：Diodes Incorporated
  • 描述：MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
  • 產(chǎn)品系列：Automotive, AEC-Q101
  • 零件狀態(tài)：有源
  • FET類型：N 通道
  • 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）：120V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：90A（Tc）
  • 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：7.8 毫歐 @ 30A，10V
  • 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：49nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：3224pF @ 60V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：2.9W
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 器件封裝：PowerDI5060-8
  • DMT12H007LPS-13均從Diodes代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
    • 時刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
    Diodes產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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    除Diodes外，我司還在以下品牌具有優(yōu)勢：Mitsumi | Kioxia | Kinetic | Johanson | IRISO |