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圖片信息
IRF7779L2TR1PBF圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號：IRF7779L2TR1PBF
  • 原始制造廠商：IR，國際整流器
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：單端場效應(yīng)管
  • 點擊此處下載IRF7779L2TR1PBF的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號：IRF7779L2TR1PBF
  • 制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購
  • 描述：MOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
  • 系列：HEXFET
  • FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓 (Vdss)：150V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：375A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：11 毫歐 @ 40A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：150nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：6660pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：3.3W
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 產(chǎn)品封裝：DirectFET 等距 L8
  • 供應(yīng)商器件封裝：DIRECTFET L8
  • IRF7779L2TR1PBF均從IR代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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    IR產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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