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圖片信息
IRFH5110TRPBF圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號(hào)：IRFH5110TRPBF
  • 原始制造廠商：IR，國際整流器
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 11A 8-PQFN
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：單端場效應(yīng)管
  • 點(diǎn)擊此處下載IRFH5110TRPBF的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào)：IRFH5110TRPBF
  • 制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購
  • 描述：MOSFET N-CH 100V 11A 8-PQFN
  • 系列：HEXFET
  • FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能：邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss)：100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：11A（Ta），63A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：12.4 毫歐 @ 37A，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 100μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：72nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：3152pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：3.6W
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 產(chǎn)品封裝：8-PowerVQFN
  • 供應(yīng)商器件封裝：PQFN（5x6）
  • IRFH5110TRPBF均從IR代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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