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圖片信息
IS61DDB21M18C-250M3L圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號(hào)：IS61DDB21M18C-250M3L
  • 原始制造廠商：ISSI
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：存儲(chǔ)器
  • 點(diǎn)擊此處下載IS61DDB21M18C-250M3L的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào)：IS61DDB21M18C-250M3L
  • 制造商：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 描述：IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165LFBGA
  • 產(chǎn)品系列：存儲(chǔ)器
  • 包裝：托盤
  • 系列：-
  • 零件狀態(tài)：有源
  • 存儲(chǔ)器類型：易失
  • 存儲(chǔ)器格式：SRAM
  • 技術(shù)：SRAM - 同步，DDR II
  • 存儲(chǔ)容量：18Mb（1M x 18）
  • 存儲(chǔ)器接口：并聯(lián)
  • 時(shí)鐘頻率：250MHz
  • 寫周期時(shí)間-字，頁：-
  • 訪問時(shí)間：-
  • 電壓-供電：1.71V ~ 1.89V
  • 工作溫度：0°C ~ 70°C（TA）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 產(chǎn)品封裝：165-LBGA
  • IS61DDB21M18C-250M3L均從ISSI代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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