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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR（品牌: ISSI）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品
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深圳市南皇電子有限公司|南皇電子-領(lǐng)先的國(guó)內(nèi)IC供應(yīng)商
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圖片信息
IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號(hào)：IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR
  • 原始制造廠商：ISSI
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：存儲(chǔ)器
  • 點(diǎn)擊此處下載IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet（PDF文件）
  • 現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！
    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào)：IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR
  • 制造商：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 描述：IC PSRAM 16MBIT PARALLEL 48TFBGA
  • 產(chǎn)品系列：存儲(chǔ)器
  • 包裝：卷帶（TR）
  • 系列：-
  • 零件狀態(tài)：有源
  • 存儲(chǔ)器類型：易失
  • 存儲(chǔ)器格式：PSRAM
  • 技術(shù)：PSRAM（偽 SRAM）
  • 存儲(chǔ)容量：16Mb（1M x 16）
  • 存儲(chǔ)器接口：并聯(lián)
  • 時(shí)鐘頻率：-
  • 寫周期時(shí)間-字，頁(yè)：70ns
  • 訪問(wèn)時(shí)間：70ns
  • 電壓-供電：2.7V ~ 3.6V
  • 工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 產(chǎn)品封裝：48-TFBGA
  • IS66WVE1M16EBLL-70BLI-TR均從ISSI代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
    • 時(shí)刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
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