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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供IXFK26N100P(品牌: IXYS)充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品
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深圳市南皇電子有限公司|南皇電子-領(lǐng)先的國(guó)內(nèi)IC供應(yīng)商
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圖片信息
IXFK26N100P圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號(hào):IXFK26N100P
  • 原始制造廠商:IXYS
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET N-CH 1000V 26A TO264AA
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi):晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
  • 點(diǎn)擊此處下載IXFK26N100P的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
  • 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿(mǎn)足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求!
  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):IXFK26N100P
  • 制造商:IXYS(IXYS已被Littelfuse收購(gòu))
  • 描述:MOSFET N-CH 1000V 26A TO264AA
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
  • 產(chǎn)品系列:HiPerFET?, PolarP2?
  • 零件狀態(tài):有源
  • FET類(lèi)型:N 通道
  • 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):1000V
  • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):26A(Tc)
  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):390 毫歐 @ 13A,10V
  • 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):6.5V @ 1mA
  • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):197nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):11900pF @ 25V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):780W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類(lèi)型:通孔
  • 器件封裝:TO-264AA(IXFK)
  • IXFK26N100P均從IXYS代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
  • 時(shí)刻努力成為您值得信賴(lài)的IC供應(yīng)商
    IXYS產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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    深圳市南皇電子有限公司 - IXFK26N100P - IXYS公司芯片現(xiàn)貨領(lǐng)導(dǎo)代理商

    深圳市南皇電子有限公司致力成為中國(guó)領(lǐng)先的IC供應(yīng)商現(xiàn)貨庫(kù)存優(yōu)化處理專(zhuān)家,一站式電子元器件采購(gòu)增值配套,快速響應(yīng)您的報(bào)價(jià)請(qǐng)求

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