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圖片信息
BSC196N10NS G圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號：BSC196N10NS G
  • 原始制造廠商：Infineon，英飛凌
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：單端場效應(yīng)管
  • 點擊此處下載BSC196N10NS G的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • Infineon英飛凌公司完整型號：BSC196N10NS G
  • 制造廠家名稱：Infineon Technologies
  • 描述：MOSFET N-CH 100V 45A TDSON-8
  • 系列：OptiMOS?
  • FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓 (Vdss)：100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：8.5A（Ta），45A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：19.6 毫歐 @ 45A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 42μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：34nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2300pF @ 50V
  • 功率 - 最大值：78W
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 封裝/外殼：8-PowerTDFN
  • 供應(yīng)商器件封裝：PG-TDSON-8
  • BSC196N10NS G均從Infineon代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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