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深圳市南皇電子有限公司長期提供BSO615N G（品牌: Infineon）充足現(xiàn)貨訂購、免費(fèi)樣品
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深圳市南皇電子有限公司|南皇電子-領(lǐng)先的國內(nèi)IC供應(yīng)商
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BSO615N G - 南皇電子長期提供競爭力的價(jià)格、訂貨及技術(shù)支持，Infineon代理穩(wěn)定貨源。
圖片信息
BSO615N G圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號：BSO615N G
  • 原始制造廠商：Infineon，英飛凌
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：場效應(yīng)管陣列
  • 點(diǎn)擊此處下載BSO615N G的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • Infineon英飛凌公司完整型號：BSO615N G
  • 制造廠家名稱：Infineon Technologies
  • 描述：MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
  • 系列：SIPMOS
  • FET 類型：2 個 N 溝道（雙）
  • FET 功能：邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss)：60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：2.6A
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：150 毫歐 @ 2.6A，4.5V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 20μA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：20nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：380pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：2W
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
  • 供應(yīng)商器件封裝：PG-DSO-8
  • BSO615N G均從Infineon代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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