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圖片信息
IAUC80N04S6N036ATMA1圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號(hào):IAUC80N04S6N036ATMA1
  • 原始制造廠商:Infineon,英飛凌
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):IAUC80N04S6N036ATMA1
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
  • 點(diǎn)擊此處下載IAUC80N04S6N036ATMA1的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):IAUC80N04S6N036ATMA1
  • 制造商:Infineon Technologies
  • 描述:IAUC80N04S6N036ATMA1
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
  • 產(chǎn)品系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?
  • 零件狀態(tài):有源
  • FET類型:N 通道
  • 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):40V
  • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):80A(Tc)
  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):7V,10V
  • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):3.68 毫歐 @ 40A,10V
  • 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):3V @ 18μA
  • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):22nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):1338pF @ 25V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):50W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:PG-TDSON-8
  • IAUC80N04S6N036ATMA1均從Infineon代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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    深圳市南皇電子有限公司 - IAUC80N04S6N036ATMA1 - Infineon公司芯片現(xiàn)貨領(lǐng)導(dǎo)代理商

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