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圖片信息
IMBG120R060M1HXTMA1圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:IMBG120R060M1HXTMA1
  • 原始制造廠商:Infineon,英飛凌
  • 技術標準參數(shù):TRANS SJT N-CH 1.2KV 36A TO263
  • 產(chǎn)品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 點擊此處下載IMBG120R060M1HXTMA1的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:IMBG120R060M1HXTMA1
  • 制造商:Infineon Technologies
  • 描述:TRANS SJT N-CH 1.2KV 36A TO263
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產(chǎn)品系列:CoolSiC?
  • 零件狀態(tài):有源
  • FET類型:N 通道
  • 技術:SiC(碳化硅結(jié)晶體管)
  • 漏源電壓(Vdss):1.2kV
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):36A(Tc)
  • 驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):-
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):83 毫歐 @ 13A,18V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):5.7V @ 5.6mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):34nC @ 18V
  • Vgs(最大值):+18V,-15V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1.145nF @ 800V
  • FET功能:標準
  • 功率耗散(最大值):181W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:PG-TO263-7-12
  • IMBG120R060M1HXTMA1均從Infineon代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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