深圳市南皇電子有限公司長期提供IMBG120R060M1HXTMA1(品牌: Infineon)充足現(xiàn)貨訂購、免費樣品
技術參數(shù)詳解:
制造商產(chǎn)品型號:IMBG120R060M1HXTMA1制造商:Infineon Technologies描述:TRANS SJT N-CH 1.2KV 36A TO263系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個產(chǎn)品系列:CoolSiC?零件狀態(tài):有源FET類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1.2kV25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):36A(Tc)驅(qū)動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):-不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):83 毫歐 @ 13A,18V不同Id時Vgs(th)(最大值):5.7V @ 5.6mA不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):34nC @ 18VVgs(最大值):+18V,-15V不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1.145nF @ 800VFET功能:標準功率耗散(最大值):181W(Tc)工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)安裝類型:表面貼裝型器件封裝:PG-TO263-7-12IMBG120R060M1HXTMA1均從Infineon代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!