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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供IMW120R090M1HXKSA1（品牌: Infineon）充足現(xiàn)貨訂購、免費(fèi)樣品
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圖片信息
IMW120R090M1HXKSA1圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號(hào)：IMW120R090M1HXKSA1
  • 原始制造廠商：Infineon，英飛凌
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
  • 點(diǎn)擊此處下載IMW120R090M1HXKSA1的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào)：IMW120R090M1HXKSA1
  • 制造商：Infineon Technologies
  • 描述：SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
  • 產(chǎn)品系列：CoolSiC?
  • 零件狀態(tài)：有源
  • FET類型：N 通道
  • 技術(shù)：SiCFET（碳化硅）
  • 漏源電壓（Vdss）：1.2kV
  • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：26A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：15V，18V
  • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：117 毫歐 @ 8.5A，18V
  • 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 3.7mA
  • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：21nC @ 18V
  • Vgs（最大值）：+23V，-7V
  • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：707pF @ 800V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：115W（Tc）
  • 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型：通孔
  • 器件封裝：PG-TO247-3-41
  • IMW120R090M1HXKSA1均從Infineon代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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