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圖片信息
IPD048N06L3 G圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號：IPD048N06L3 G
  • 原始制造廠商：Infineon，英飛凌
  • 技術(shù)標準參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：單端場效應(yīng)管
  • 點擊此處下載IPD048N06L3 G的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • Infineon英飛凌公司完整型號：IPD048N06L3 G
  • 制造廠家名稱：Infineon Technologies
  • 描述：MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
  • 系列：OptiMOS?
  • FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能：邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss)：60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：90A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：4.8 毫歐 @ 90A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 58μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：50nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：8400pF @ 30V
  • 功率 - 最大值：115W
  • 安裝類型：表面貼裝
  • 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
  • 供應(yīng)商器件封裝：PG-TO252-3
  • IPD048N06L3 G均從Infineon代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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