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圖片信息
IPD60R3K3C6ATMA1圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號(hào)：IPD60R3K3C6ATMA1
  • 原始制造廠商：Infineon，英飛凌
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
  • 點(diǎn)擊此處下載IPD60R3K3C6ATMA1的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet（PDF文件）
  • 現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！
    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào)：IPD60R3K3C6ATMA1
  • 制造商：Infineon Technologies
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
  • 產(chǎn)品系列：CoolMOS? C6
  • 零件狀態(tài)：有源
  • FET類型：N 通道
  • 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）：600V
  • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：1.7A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：3.3 歐姆 @ 500mA，10V
  • 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 40μA
  • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：4.6nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：93pF @ 100V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：18.1W（Tc）
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 器件封裝：PG-TO252-3
  • IPD60R3K3C6ATMA1均從Infineon代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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