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圖片信息
IPW65R041CFD圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:IPW65R041CFD
  • 原始制造廠商:Infineon,英飛凌
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:單端場效應(yīng)管
  • 點(diǎn)擊此處下載IPW65R041CFD的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • Infineon英飛凌公司完整型號:IPW65R041CFD
  • 制造廠家名稱:Infineon Technologies
  • 描述:MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247
  • 系列:CoolMOS?
  • FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓 (Vdss):650V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):68.5A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):41 毫歐 @ 33.1A,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 3.3mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):300nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):8400pF @ 100V
  • 功率 - 最大值:500W
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝/外殼:TO-247-3
  • 供應(yīng)商器件封裝:PG-TO247-3
  • IPW65R041CFD均從Infineon代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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