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圖片信息
APT45GR65BSCD10圖片
基本技術信息：
  • 電子器件型號：APT45GR65BSCD10
  • 原始制造廠商：Microsemi，美高森美
  • 技術標準參數(shù)：INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
  • 產(chǎn)品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 點擊此處下載APT45GR65BSCD10的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號：APT45GR65BSCD10
  • 制造商：Microsemi Corporation
  • 描述：INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
  • 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產(chǎn)品系列：-
  • 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
  • IGBT類型：NPT
  • 電壓-集射極擊穿（最大值）：650V
  • 電流-集電極(Ic)（最大值）：118A
  • 電流-集電極脈沖(Icm)：224A
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，45A
  • 功率-最大值：543W
  • 開關能量：-
  • 輸入類型：標準
  • 柵極電荷：203nC
  • 25°C時Td（開/關）值：15ns/100ns
  • 測試條件：433V，45A，4.3 歐姆，15V
  • 反向恢復時間(trr)：80ns
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：通孔
  • 封裝：TO-247-3
  • APT45GR65BSCD10均從Microsemi代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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