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圖片信息
APT5518BFLLG圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號(hào)：APT5518BFLLG
  • 原始制造廠(chǎng)商：Microsemi，美高森美
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 550V 31A TO247-3
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi)：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
  • 點(diǎn)擊此處下載APT5518BFLLG的原廠(chǎng)技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào)：APT5518BFLLG
  • 制造商：Microsemi Corporation
  • 描述：MOSFET N-CH 550V 31A TO247-3
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
  • 產(chǎn)品系列：POWER MOS 7?
  • 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
  • FET類(lèi)型：N 通道
  • 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）：550V
  • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：31A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：180 毫歐 @ 15.5A，10V
  • 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
  • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：67nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：3286pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：403W（Tc）
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類(lèi)型：通孔
  • 器件封裝：TO-247-3
  • APT5518BFLLG均從Microsemi代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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    深圳市南皇電子有限公司致力成為中國(guó)領(lǐng)先的IC供應(yīng)商現(xiàn)貨庫(kù)存優(yōu)化處理專(zhuān)家,一站式電子元器件采購(gòu)增值配套,快速響應(yīng)您的報(bào)價(jià)請(qǐng)求

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