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圖片信息
APT65GP60L2DQ2G圖片
基本技術信息：
  • 電子器件型號：APT65GP60L2DQ2G
  • 原始制造廠商：Microsemi，美高森美
  • 技術標準參數(shù)：IGBT 600V 198A 833W TO264
  • 產品應用分類：單路IGBT
  • 點擊此處下載APT65GP60L2DQ2G的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術參數(shù)詳解：
  • Microsemi美高森美完整型號：APT65GP60L2DQ2G
  • 制造廠家名稱：Microsemi Power Products Group
  • 描述：IGBT 600V 198A 833W TO264
  • 系列：POWER MOS 7
  • IGBT 類型：PT
  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600V
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：198A
  • Current - Collector Pulsed (Icm)：250A
  • 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on)：2.7V @ 15V，65A
  • 功率 - 最大值：833W
  • Switching Energy：605μJ （開）， 895μJ （關）
  • 輸入類型：標準
  • Gate Charge：210nC
  • 25°C 時 Td（開/關）值：30ns/90ns
  • Test Condition：400V, 65A, 5 歐姆, 15V
  • 反向恢復時間 (trr)：-
  • 封裝/外殼：TO-264-3，TO-264AA
  • 安裝類型：通孔
  • 供應商器件封裝：*
  • APT65GP60L2DQ2G均從Microsemi代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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