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圖片信息
APTC80H15T1G圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號：APTC80H15T1G
  • 原始制造廠商：Microsemi，美高森美
  • 技術(shù)標準參數(shù)：MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1
  • 產(chǎn)品應用分類：場效應管模塊
  • 點擊此處下載APTC80H15T1G的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • Microsemi美高森美完整型號：APTC80H15T1G
  • 制造廠家名稱：Microsemi Power Products Group
  • 描述：MOSFET 4N-CH 800V 28A SP1
  • 系列：-
  • FET 類型：4 個 N 通道（H 橋）
  • FET 功能：標準
  • 漏源極電壓 (Vdss)：800V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：28A
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：150 毫歐 @ 14A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 2mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：180nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：4507pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：277W
  • 安裝類型：底座安裝
  • 封裝/外殼：SP1
  • 供應商器件封裝：SP1
  • APTC80H15T1G均從Microsemi代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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