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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供APTM120DA30CT1G（品牌: Microsemi）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品
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圖片信息
APTM120DA30CT1G圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號(hào)：APTM120DA30CT1G
  • 原始制造廠商：Microsemi，美高森美
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi)：場(chǎng)效應(yīng)管模塊
  • 點(diǎn)擊此處下載APTM120DA30CT1G的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet（PDF文件）
  • 現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿(mǎn)足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！
    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • Microsemi美高森美完整型號(hào)：APTM120DA30CT1G
  • 制造廠家名稱(chēng)：Microsemi Power Products Group
  • 描述：MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
  • 系列：POWER MOS 8?
  • FET 類(lèi)型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓 (Vdss)：1200V（1.2kV）
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：31A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：360 毫歐 @ 25A，10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 2.5mA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：560nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：14560pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：657W
  • 安裝類(lèi)型：底座安裝
  • 封裝/外殼：SP1
  • 供應(yīng)商器件封裝：SP1
  • APTM120DA30CT1G均從Microsemi代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
    • 時(shí)刻努力成為您值得信賴(lài)的IC供應(yīng)商
    Microsemi產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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    深圳市南皇電子有限公司致力成為中國(guó)領(lǐng)先的IC供應(yīng)商現(xiàn)貨庫(kù)存優(yōu)化處理專(zhuān)家,一站式電子元器件采購(gòu)增值配套,快速響應(yīng)您的報(bào)價(jià)請(qǐng)求

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