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圖片信息
APTM120U10SCAVG圖片
基本技術信息：
  • 電子器件型號：APTM120U10SCAVG
  • 原始制造廠商：Microsemi，美高森美
  • 技術標準參數：MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
  • 產品應用分類：場效應管模塊
  • 點擊此處下載APTM120U10SCAVG的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術參數詳解：
  • Microsemi美高森美完整型號：APTM120U10SCAVG
  • 制造廠家名稱：Microsemi Power Products Group
  • 描述：MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
  • 系列：POWER MOS 7
  • FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能：邏輯電平門
  • 漏源極電壓 (Vdss)：1200V（1.2kV）
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：116A
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：120 毫歐 @ 58A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 20mA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：1100nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：28900pF @ 25V
  • 功率 - 最大值：3290W
  • 安裝類型：底座安裝
  • 封裝/外殼：SP6
  • 供應商器件封裝：SP6
  • APTM120U10SCAVG均從Microsemi代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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