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圖片信息
MCR08BT1,115圖片
基本技術信息:
  • 電子器件型號:MCR08BT1,115
  • 原始制造廠商:NXP,恩智浦半導體
  • 技術標準參數:THYRISTOR 0.8A 200V SOT223
  • 產品應用分類:單個SCR
  • 點擊此處下載MCR08BT1,115的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術參數詳解:
  • NXP恩智浦完整型號:MCR08BT1,115
  • 制造廠家名稱:NXP Semiconductors
  • 描述:THYRISTOR 0.8A 200V SOT223
  • 系列:-
  • 電壓 - 斷態(tài):200V
  • 電壓 - 柵極觸發(fā) (Vgt)(最大值):800mV
  • 電流 - 柵極觸發(fā) (Igt)(最大值):200μA
  • 電壓 - 通態(tài) (Vtm)(最大值):1.7V
  • 電流 - 通態(tài) (It (AV))(最大值):500mA
  • 電流 - 通態(tài) (It (RMS))(最大值):800mA
  • 電流 - 保持 (Ih)(最大值):5mA
  • 電流 - 斷態(tài)(最大值):100μA
  • 電流 - 不重復浪涌 50、60Hz (Itsm):8A,9A
  • SCR 類型:靈敏柵極
  • 工作溫度:-40°C ~ 125°C
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
  • 供應商器件封裝:SC-73
  • MCR08BT1,115均從NXP代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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