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圖片信息
PMGD290XN,115圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號：PMGD290XN,115
  • 原始制造廠商：Nexperia，安世半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
  • 點擊此處下載PMGD290XN,115的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號：PMGD290XN,115
  • 制造商：Nexperia USA Inc.
  • 描述：MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
  • 產(chǎn)品系列：TrenchMOS?
  • 零件狀態(tài)：有源
  • FET類型：2 N-通道（雙）
  • FET功能：邏輯電平門
  • 漏源電壓（Vdss）：20V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：860mA
  • 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：350 毫歐 @ 200mA，4.5V
  • 不同Id時Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：0.72nC @ 4.5V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：34pF @ 20V
  • 功率-最大值：410mW
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • PMGD290XN,115均從Nexperia代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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