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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供PSMNR90-30BL(品牌: Nexperia)充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品
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圖片信息
PSMNR90-30BL圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號(hào):PSMNR90-30BL
  • 原始制造廠商:Nexperia,安世半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:FET,MOSFET - 單-晶體管
  • 點(diǎn)擊此處下載PSMNR90-30BL的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
  • 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求!
  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • Nexperia公司器件型號(hào):PSMNR90-30BL,118
  • 制造商:Nexperia USA Inc.(安世半導(dǎo)體)-2017年從NXP分離
  • 功能總體描述:MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
  • 所屬類別:FET,MOSFET - 單-晶體管
  • 系列:-
  • 零件狀態(tài):在售
  • FET 類型:N 溝道
  • 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源極電壓(Vdss):30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):120A(Tc)
  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值):243nC @ 10V
  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):14850pF @ 15V
  • Vgs(最大值):±20V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):306W(Tc)
  • 不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):1 毫歐@ 25A,10V
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝
  • Nexperia公司標(biāo)準(zhǔn)封裝:D2PAK
  • 封裝形式:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
  • PSMNR90-30BL的標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù)量(SPQ):800 PCS
  • PSMNR90-30BL均從Nexperia代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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