圖片信息
基本技術(shù)信息:
技術(shù)參數(shù)詳解:
制造廠家名稱: SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
功能總體簡(jiǎn)述: MOSFET P-CH 60V 20A TO-220ML
系列: -
FET 類型: MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 功能: 邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動(dòng)
漏源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)): 20A(Ta)
不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值): 60 毫歐 @ 10A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值): -
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg): 45nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss): 2200pF @ 20V
功率 - 最大值: 2W
安裝類型: 通孔
產(chǎn)品封裝: TO-220-3 整包
供應(yīng)商器件封裝: TO-220ML
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