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圖片信息
FDMD8900圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號：FDMD8900
  • 原始制造廠商：ON，ON安森美半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 30V 19A/17A 12POWER
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
  • 點(diǎn)擊此處下載FDMD8900的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號：FDMD8900
  • 制造商：ON Semiconductor
  • 描述：MOSFET 2N-CH 30V 19A/17A 12POWER
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
  • 產(chǎn)品系列：-
  • 零件狀態(tài)：有源
  • FET類型：2 N-通道（雙）
  • FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源電壓（Vdss）：30V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：19A，17A
  • 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：4 毫歐 @ 19A，10V
  • 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：35nC @ 10V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：2605pF @ 15V
  • 功率-最大值：2.1W
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 封裝：12-PowerWDFN
  • FDMD8900均從ON代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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