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圖片信息
FDMS001N025DSD圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:FDMS001N025DSD
  • 原始制造廠商:ON,ON安森美半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET 2N-CH 25V 8PQFN
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 點(diǎn)擊此處下載FDMS001N025DSD的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
  • 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求!
  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號:FDMS001N025DSD
  • 制造商:ON Semiconductor
  • 描述:MOSFET 2N-CH 25V 8PQFN
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產(chǎn)品系列:PowerTrench?
  • 零件狀態(tài):有源
  • FET類型:2 N 溝道(雙)非對稱型
  • FET功能:標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源電壓(Vdss):25V
  • 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):19A(Ta),69A(Tc),38A(Ta),165A(Tc)
  • 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻(最大值):3.25 毫歐 @ 19A,10V,920μOhm @ 38A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):2.5V @ 320μA,3V @ 1mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):30nC,104nC @ 10V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1370pF,5105pF @ 13V
  • 功率-最大值:2.1W(Ta),26W(Tc),2.3W(Ta),42W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:8-PowerWDFN
  • FDMS001N025DSD均從ON代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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    ON產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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