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圖片信息
FDS6986AS_SN00192圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號(hào)：FDS6986AS_SN00192
  • 原始制造廠商：ON，ON安森美半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET 2 N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SO
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
  • 點(diǎn)擊此處下載FDS6986AS_SN00192的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet（PDF文件）
  • 現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！
    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào)：FDS6986AS_SN00192
  • 制造商：ON Semiconductor
  • 描述：MOSFET 2 N-CH 30V 6.5A/7.9A 8SO
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
  • 產(chǎn)品系列：PowerTrench?, SyncFET?
  • 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
  • FET類型：2 N-通道（雙）
  • FET功能：邏輯電平門
  • 漏源電壓（Vdss）：30V
  • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：6.5A，7.9A
  • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：29 毫歐 @ 6.5A，10V，20 毫歐 @ 7.9A，10V
  • 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA，3V @ 1mA
  • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：9nC @ 5V，8nC @ 5V
  • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：720pF @ 10V，550pF @ 10V
  • 功率-最大值：900mW
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
  • FDS6986AS_SN00192均從ON代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
    • 時(shí)刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
    ON產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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