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深圳市南皇電子有限公司|南皇電子-領(lǐng)先的國內(nèi)IC供應(yīng)商
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圖片信息
FGB30N6S2T圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號(hào):FGB30N6S2T
  • 原始制造廠商:ON,ON安森美半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):IGBT 600V 45A 167W TO263AB
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 點(diǎn)擊此處下載FGB30N6S2T的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
  • 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求!
  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):FGB30N6S2T
  • 制造商:ON Semiconductor
  • 描述:IGBT 600V 45A 167W TO263AB
  • 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產(chǎn)品系列:-
  • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  • IGBT類型:-
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):45A
  • 電流-集電極脈沖(Icm):108A
  • 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,12A
  • 功率-最大值:167W
  • 開關(guān)能量:55μJ(開),110μJ(關(guān))
  • 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
  • 柵極電荷:23nC
  • 25°C時(shí)Td(開/關(guān))值:6ns/40ns
  • 測試條件:390V,12A,10 歐姆,15V
  • 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):-
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
  • FGB30N6S2T均從ON代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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