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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供HGTG30N60B3D（品牌: ON）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品
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深圳市南皇電子有限公司|南皇電子-領(lǐng)先的國(guó)內(nèi)IC供應(yīng)商
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圖片信息
HGTG30N60B3D圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號(hào)：HGTG30N60B3D
  • 原始制造廠商：ON，ON安森美半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IGBT 600V 60A TO247-3
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 點(diǎn)擊此處下載HGTG30N60B3D的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet（PDF文件）
  • 現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！
    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào)：HGTG30N60B3D
  • 制造商：ON Semiconductor
  • 描述：IGBT 600V 60A TO247-3
  • 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產(chǎn)品系列：-
  • 零件狀態(tài)：最後搶購(gòu)
  • IGBT類型：-
  • 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
  • 電流-集電極(Ic)（最大值）：60A
  • 電流-集電極脈沖(Icm)：220A
  • 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，30A
  • 功率-最大值：208W
  • 開關(guān)能量：550μJ（開），680μJ（關(guān)）
  • 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
  • 柵極電荷：170nC
  • 25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：36ns/137ns
  • 測(cè)試條件：480V，30A，3 歐姆，15V
  • 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：55ns
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：通孔
  • 封裝：TO-247-3
  • HGTG30N60B3D均從ON代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
    • 時(shí)刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
    ON產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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