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圖片信息
MCH6626-TL-E圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號(hào):MCH6626-TL-E
  • 原始制造廠商:ON,ON安森美半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET N/P-CH 20V 1.6A/1A MCPH6
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi):FET - 陣列
  • 點(diǎn)擊此處下載MCH6626-TL-E的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • ON安森美半導(dǎo)體完整型號(hào): MCH6626-TL-E
    制造廠家名稱(chēng): SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
    功能總體簡(jiǎn)述: MOSFET N/P-CH 20V 1.6A/1A MCPH6
    系列: -
    FET 類(lèi)型: N 和 P 溝道
    FET 功能: 邏輯電平門(mén)
    漏源極電壓(Vdss): 20V
    電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)): 1.6A,1A
    不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值): 230 毫歐 @ 800mA,4V
    不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值): -
    不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg): 1.4nC @ 4V
    不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss): 105pF @ 10V
    功率 - 最大值: 800mW
    安裝類(lèi)型: 表面貼裝
    產(chǎn)品封裝: 6-SMD,扁平引線
    供應(yīng)商器件封裝: 6-MCPH
    MCH6626-TL-E均從ON代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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