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圖片信息
NGD8201BNT4G圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號(hào)：NGD8201BNT4G
  • 原始制造廠商：ON，ON安森美半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IGBT 400V 20A 125W DPAK-3
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：IGBT - 單路
  • 點(diǎn)擊此處下載NGD8201BNT4G的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • ON安森美半導(dǎo)體完整型號(hào): NGD8201BNT4G
  • 制造廠家名稱: ON Semiconductor
  • 功能總體簡(jiǎn)述: IGBT 400V 20A 125W DPAK-3
  • 系列: -
  • IGBT 類型: -
  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）: 430V
  • 電流 - 集電極（Ic）（最大值）: 15A
  • 脈沖電流 - 集電極 (Icm): 50A
  • 不同 Vge，Ic 時(shí)的 Vce（on）: 1.8V @ 4.5V，10A
  • 功率 - 最大值: 115W
  • 開關(guān)能量: -
  • 輸入類型: 邏輯
  • 柵極電荷: -
  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值: -/4μs
  • 測(cè)試條件: 300V，6.5A，1 千歐
  • 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）: -
  • 產(chǎn)品封裝: TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
  • 安裝類型: 表面貼裝
  • 供應(yīng)商器件封裝: DPAK
  • NGD8201BNT4G均從ON代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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