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圖片信息
NGD8201NT4G圖片
基本技術信息：
  • 電子器件型號：NGD8201NT4G
  • 原始制造廠商：ON，ON安森美半導體
  • 技術標準參數：IGBT 440V 20A 125W DPAK
  • 產品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 點擊此處下載NGD8201NT4G的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術參數詳解：
  • 制造商產品型號：NGD8201NT4G
  • 制造商：ON Semiconductor
  • 描述：IGBT 440V 20A 125W DPAK
  • 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產品系列：-
  • 零件狀態(tài)：停產
  • IGBT類型：-
  • 電壓-集射極擊穿（最大值）：440V
  • 電流-集電極(Ic)（最大值）：20A
  • 電流-集電極脈沖(Icm)：50A
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 4.5V，20A
  • 功率-最大值：125W
  • 開關能量：-
  • 輸入類型：邏輯
  • 柵極電荷：-
  • 25°C時Td（開/關）值：-/5μs
  • 測試條件：300V，9A，1 千歐，5V
  • 反向恢復時間(trr)：-
  • 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
  • NGD8201NT4G均從ON代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！
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