深圳市南皇電子有限公司長期提供NGTB10N60R2DT4G（品牌: ON）充足現(xiàn)貨訂購、免費(fèi)樣品
技術(shù)參數(shù)詳解：
制造商產(chǎn)品型號：NGTB10N60R2DT4G制造商：ON Semiconductor描述：IGBT 600V 20A DPAK系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單產(chǎn)品系列：-零件狀態(tài)：有源IGBT類型：-電壓-集射極擊穿（最大值）：600V電流-集電極(Ic)（最大值）：20A電流-集電極脈沖(Icm)：40A不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，10A功率-最大值：72W開關(guān)能量：412μJ（開），140μJ（關(guān)）輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)柵極電荷：53nC25°C時Td（開/關(guān)）值：48ns/120ns測試條件：300V，10A，30 歐姆，15V反向恢復(fù)時間(trr)：90ns工作溫度：175°C（TJ）安裝類型：表面貼裝型封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63NGTB10N60R2DT4G均從ON代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
