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圖片信息
NGTB30N60SWG圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號(hào)：NGTB30N60SWG
  • 原始制造廠(chǎng)商：ON，ON安森美半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IGBT 600V 60A 189W TO247
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi)：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 點(diǎn)擊此處下載NGTB30N60SWG的原廠(chǎng)技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào)：NGTB30N60SWG
  • 制造商：ON Semiconductor
  • 描述：IGBT 600V 60A 189W TO247
  • 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產(chǎn)品系列：-
  • 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
  • IGBT類(lèi)型：溝槽型場(chǎng)截止
  • 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
  • 電流-集電極(Ic)（最大值）：60A
  • 電流-集電極脈沖(Icm)：120A
  • 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.2V @ 15V，30A
  • 功率-最大值：189W
  • 開(kāi)關(guān)能量：750μJ（開(kāi)），540μJ（關(guān)）
  • 輸入類(lèi)型：標(biāo)準(zhǔn)
  • 柵極電荷：90nC
  • 25°C時(shí)Td（開(kāi)/關(guān)）值：57ns/109ns
  • 測(cè)試條件：400V，30A，10 歐姆，15V
  • 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：200ns
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類(lèi)型：通孔
  • 封裝：TO-247-3
  • NGTB30N60SWG均從ON代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
    • 時(shí)刻努力成為您值得信賴(lài)的IC供應(yīng)商
    ON產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用范圍
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    深圳市南皇電子有限公司 - NGTB30N60SWG - ON公司芯片現(xiàn)貨領(lǐng)導(dǎo)代理商

    深圳市南皇電子有限公司致力成為中國(guó)領(lǐng)先的IC供應(yīng)商現(xiàn)貨庫(kù)存優(yōu)化處理專(zhuān)家,一站式電子元器件采購(gòu)增值配套,快速響應(yīng)您的報(bào)價(jià)請(qǐng)求

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