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圖片信息
RGTH00TS65DGC11圖片
基本技術信息：
  • 電子器件型號：RGTH00TS65DGC11
  • 原始制造廠商：ROHM，羅姆
  • 技術標準參數(shù)：IGBT 650V 85A 277W TO-247N
  • 產(chǎn)品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 點擊此處下載RGTH00TS65DGC11的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號：RGTH00TS65DGC11
  • 制造商：Rohm Semiconductor
  • 描述：IGBT 650V 85A 277W TO-247N
  • 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產(chǎn)品系列：-
  • 零件狀態(tài)：有源
  • IGBT類型：溝槽型場截止
  • 電壓-集射極擊穿（最大值）：650V
  • 電流-集電極(Ic)（最大值）：85A
  • 電流-集電極脈沖(Icm)：200A
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，50A
  • 功率-最大值：277W
  • 開關能量：-
  • 輸入類型：標準
  • 柵極電荷：94nC
  • 25°C時Td（開/關）值：39ns/143ns
  • 測試條件：400V，50A，10 歐姆，15V
  • 反向恢復時間(trr)：54ns
  • 工作溫度：-40°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型：通孔
  • 封裝：TO-247-3
  • RGTH00TS65DGC11均從ROHM代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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