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圖片信息
SCT2120AFC圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號(hào):SCT2120AFC
  • 原始制造廠商:ROHM,羅姆
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):SICFET N-CH 650V 29A TO220AB
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi):晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
  • 點(diǎn)擊此處下載SCT2120AFC的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
  • 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿(mǎn)足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求!
  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):SCT2120AFC
  • 制造商:Rohm Semiconductor
  • 描述:SICFET N-CH 650V 29A TO220AB
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
  • 產(chǎn)品系列:-
  • 零件狀態(tài):最後搶購(gòu)
  • FET類(lèi)型:N 通道
  • 技術(shù):SiCFET(碳化硅)
  • 漏源電壓(Vdss):650V
  • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):29A(Tc)
  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):18V
  • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):156 毫歐 @ 10A,18V
  • 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):4V @ 3.3mA
  • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):61nC @ 18V
  • Vgs(最大值):+22V,-6V
  • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):1200pF @ 500V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):165W(Tc)
  • 工作溫度:175°C(TJ)
  • 安裝類(lèi)型:通孔
  • 器件封裝:TO-220AB
  • SCT2120AFC均從ROHM代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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