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深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供TT8U1TR（品牌: ROHM）充足現(xiàn)貨訂購(gòu)、免費(fèi)樣品
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圖片信息
TT8U1TR圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號(hào)：TT8U1TR
  • 原始制造廠商：ROHM，羅姆
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 2.4A 8TSST
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi)：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
  • 點(diǎn)擊此處下載TT8U1TR的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet（PDF文件）
  • 現(xiàn)貨供應(yīng)，最快當(dāng)日出貨，滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求！
    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào)：TT8U1TR
  • 制造商：Rohm Semiconductor
  • 描述：MOSFET P-CH 20V 2.4A 8TSST
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
  • 產(chǎn)品系列：-
  • 零件狀態(tài)：不適用於新設(shè)計(jì)
  • FET類(lèi)型：P 通道
  • 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）：20V
  • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：2.4A（Ta）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.5V，4.5V
  • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：105 毫歐 @ 2.4A，4.5V
  • 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA
  • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：6.7nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）：±10V
  • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：850pF @ 10V
  • FET功能：肖特基二極管（隔離式）
  • 功率耗散（最大值）：1.25W（Ta）
  • 工作溫度：150°C（TJ）
  • 安裝類(lèi)型：表面貼裝型
  • 器件封裝：8-TSST
  • TT8U1TR均從ROHM代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu)，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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    深圳市南皇電子有限公司致力成為中國(guó)領(lǐng)先的IC供應(yīng)商現(xiàn)貨庫(kù)存優(yōu)化處理專(zhuān)家,一站式電子元器件采購(gòu)增值配套,快速響應(yīng)您的報(bào)價(jià)請(qǐng)求

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