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圖片信息
2SJ352-E圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號:2SJ352-E
  • 原始制造廠商:Renesas,瑞薩電子
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET P-CH 200V 8A TO-3P
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:單端場效應(yīng)管
  • 點擊此處下載2SJ352-E的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • Renesas瑞薩完整型號:2SJ352-E
  • 制造廠家名稱:Renesas Electronics America
  • 描述:MOSFET P-CH 200V 8A TO-3P
  • 系列:-
  • FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
  • 漏源極電壓 (Vdss):200V
  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):8A(Ta)
  • 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):-
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):-
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):-
  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):800pF @ 10V
  • 功率 - 最大值:100W
  • 安裝類型:通孔
  • 封裝/外殼:TO-3P-3,SC-65-3
  • 供應(yīng)商器件封裝:TO-3P
  • 2SJ352-E均從Renesas代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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