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圖片信息
NE3511S02-T1C-A圖片
基本技術信息：
  • 電子器件型號：NE3511S02-T1C-A
  • 原始制造廠商：Renesas，瑞薩電子
  • 技術標準參數(shù)：IC AMP RF LNA 13.5DB S02
  • 產(chǎn)品應用分類：RF FET
  • 點擊此處下載NE3511S02-T1C-A的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet（PDF文件）
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    • 技術參數(shù)詳解：
  • Renesas瑞薩完整型號: NE3511S02-T1C-A
  • 制造廠家名稱: CEL （已被Renesas瑞薩收購）
  • 功能總體簡述: IC AMP RF LNA 13.5DB S02
  • 系列: -
  • 晶體管類型: HFET
  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）: -
  • 頻率: 12GHz
  • 增益: 13.5dB
  • 頻率 - 躍遷: -
  • 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）: -
  • 電壓 - 測試: 2V
  • 額定電流: 70mA
  • 功率 - 最大值: -
  • 噪聲系數(shù): 0.3dB
  • 不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）: -
  • 電流 - 測試: 10mA
  • 功率 - 輸出: -
  • 電流 - 集電極（Ic）（最大值）: -
  • 安裝類型: -
  • 電壓 - 額定: 4V
  • 封裝/外殼: 4-SMD，扁平引線
  • 供應商器件封裝:
  • NE3511S02-T1C-A均從Renesas代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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