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圖片信息
PD57018STR-E圖片
基本技術(shù)信息：
  • 電子器件型號(hào)：PD57018STR-E
  • 原始制造廠商：ST，意法半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：TRANSISTOR RF POWERSO-10
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
  • 點(diǎn)擊此處下載PD57018STR-E的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet（PDF文件）
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    • 技術(shù)參數(shù)詳解：
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào)：PD57018STR-E
  • 制造商：STMicroelectronics
  • 描述：TRANSISTOR RF POWERSO-10
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
  • 零件狀態(tài)：有源
  • 晶體管類型：LDMOS
  • 頻率：945MHz
  • 增益：16.5dB
  • 電壓-測(cè)試：28V
  • 額定電流（安培）：2.5A
  • 噪聲系數(shù)：-
  • 電流-測(cè)試：100mA
  • 功率-輸出：18W
  • 電壓-額定：65V
  • 封裝：PowerSO-10 裸露底部焊盤
  • PD57018STR-E均從ST代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！
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