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圖片信息
SCTW35N65G2VAG圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號(hào):SCTW35N65G2VAG
  • 原始制造廠商:ST,意法半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):SICFET N-CH 650V 45A HIP247
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
  • 點(diǎn)擊此處下載SCTW35N65G2VAG的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):SCTW35N65G2VAG
  • 制造商:STMicroelectronics
  • 描述:SICFET N-CH 650V 45A HIP247
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個(gè)
  • 產(chǎn)品系列:Automotive, AEC-Q101
  • 零件狀態(tài):有源
  • FET類型:N 通道
  • 技術(shù):SiCFET(碳化硅)
  • 漏源電壓(Vdss):650V
  • 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id):45A(Tc)
  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):18V,20V
  • 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):67毫歐 @ 20A,20V
  • 不同Id時(shí)Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA
  • 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):73nC @ 20V
  • Vgs(最大值):+22V,-10V
  • 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)(最大值):1370pF @ 400V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):240W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 200°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 器件封裝:HiP247?
  • SCTW35N65G2VAG均從ST代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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