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圖片信息
STGB7NC60HDT4圖片
基本技術(shù)信息:
  • 電子器件型號(hào):STGB7NC60HDT4
  • 原始制造廠商:ST,意法半導(dǎo)體
  • 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):IGBT 600V 25A 80W D2PAK
  • 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 點(diǎn)擊此處下載STGB7NC60HDT4的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
  • 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求!
  • 技術(shù)參數(shù)詳解:
  • 制造商產(chǎn)品型號(hào):STGB7NC60HDT4
  • 制造商:STMicroelectronics
  • 描述:IGBT 600V 25A 80W D2PAK
  • 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產(chǎn)品系列:PowerMESH?
  • 零件狀態(tài):有源
  • IGBT類型:-
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):25A
  • 電流-集電極脈沖(Icm):50A
  • 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)(最大值):2.5V @ 15V,7A
  • 功率-最大值:80W
  • 開關(guān)能量:95μJ(開),115μJ(關(guān))
  • 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
  • 柵極電荷:35nC
  • 25°C時(shí)Td(開/關(guān))值:18.5ns/72ns
  • 測(cè)試條件:390V,7A,10 歐姆,15V
  • 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):37ns
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
  • STGB7NC60HDT4均從ST代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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